[25p-E102-1~19] 17.2 グラフェン

[25p-E102-2] CVD法によるグラフェン結晶成長に対する鈍化機構の理論解析

〇関 和彦¹、斉木 幸一朗² (1.産総研、2.東大)

キーワード：グラフェン、CVD、結晶成長

CVD法は欠陥の少ない単層グラフェンを成長させる方法であり、グラフェンサイズの時間発展について熱放射光によるその場顕微観察がなされている。熱放射光によるその場顕微観察では、銅板上で単層グラフェンは六角形の形状を保持しながら成長するがサイズの成長が時間とともに鈍化することが報告されている。本講演では、提案されている二つの鈍化の機構は、共に反応律速から拡散律速への変化として解釈できることを示す。理論解析の結果、銅板上の前駆体がグラフェンドメインに取り込まれる速度定数の下限と、銅板上から前駆体が脱離する速度定数の上限が得られた。