[25p-E104-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [25p-E104-10] 電気伝導機構解析による窒化ホウ素膜/Si構造の剥離機構の検討

〇(D)松田 崇行¹、濱野 誉¹、朝本 雄也¹、野間 正男²、山下 満³、長谷川 繁彦⁴、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.神港精機、3.兵庫県立工業技術センター、4.阪大産研)

キーワード：薄膜、剥離、窒化ホウ素

窒化ホウ素（BN）は物理化学的に安定で様々な形態をもつ材料である．sp3結合からなるc-BNは超高硬度を，sp2結合からなるh-BNは高絶縁性を有するため，それぞれハードコーティング，電子デバイスなどへの応用が期待されている一方で，母材との界面近傍に形成される残留応力などによる剥離が問題となっている．今回我々は，様々なBN薄膜における剥離機構を電気特性解析より詳細に検討した．