2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25p-E104-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2022年3月25日(金) 13:00 〜 18:30 E104 (E104)

荻野 明久(静大)、針谷 達(豊橋技科大)

16:30 〜 16:45

[25p-E104-14] アセチレンプラズマ中での基板バイアス効果の赤外分光計測

〇(M1)中居 辰夫1、桑田 篤哉2、佐々本 凌2、篠原 正典2、松本 貴士3、田中 諭志3 (1.福岡大院工、2.福岡大工、3.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))

キーワード:アモルファス炭素膜、アセチレンプラズマ、多重内部反射赤外吸収分光法

アモルファス炭素膜は化学的・機械的安定性、摺動性などの有用な特性や、低温形成が可能であることから幅広く産業応用されている。現在、医療や半導体デバイスなどには原子オーダーの成膜が求められる。そのためには、原子レベルでの成膜メカニズムの理解が必要である。大面積化に有利なプラズマCVD法での膜形成に注目し、アセチレンを原料として成膜したときの基板に与えた負バイアスの効果を調べたので、発表する。