[25p-E104-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[25p-E104-21] 酸化マグネシウムの水素プラズマ処理における水素ガス滞在時間の影響

〇岸 真夏¹、紅林 亮平¹、鈴村 こころ¹、長坂 政彦²、内山 晃臣²、芳賀 康孝²、荻野 明久¹ (1.静大院工、2.新東工業)

キーワード：水素プラズマ、マグネシウム系材料、滞在時間

水素ガスの滞在時間を制御しイオン・ラジカル密度を変化させた水素プラズマを酸化マグネシウムに照射し、試料表面への影響を検討した。プラズマ生成における水素ガス流量を低減しガス滞在時間を長くした結果、酸化マグネシウムの水素化が進行した。ガス滞在時間に加え、イオンおよびラジカル照射量と試料温度の影響を併せて検討し報告する。