[25p-E202-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [25p-E202-15] AlN基板上への酸化スズ系深紫外透明導電膜の作製

〇(M2)長島 陽¹、廣瀬 靖¹、土井 雅人¹、福本 通孝¹、長谷川 哲也¹ (1.東大院理化)

キーワード：紫外透明導電体、酸化スズ