[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25p-E203-10] ヨウ化水素中性粒子ビームによるInGaN, GaNエッチング特性

〇(M1)石原 崇寛¹、澤田 尭廣¹、大堀 大介¹、王 学論^3,4、遠藤 和彦³、名取 伸浩⁵、谷本 陽祐⁵、寒川 誠二^1,2 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.産総研、4.名大 IMaSS、5.昭和電工)

キーワード：マイクロLED、中性粒子ビームエッチング、GaN/InGaN

マイクロLEDではInGaNとGaNを積層させる多重量子井戸構造を用いて、発光強度の向上と発光波長を調整する。さらに塩素中性粒子ビーム(NB)による無欠陥加工により、サイズによらず高い内部量子効率を実現した。一方、InGaNの加工においてIn塩化物の揮発性が乏しく加工速度が非常に遅いため、生産性が低いという問題がある。そこで本研究では、In化合物の揮発性が高いHI NBを用いることでエッチング特性を明らかにし、エッチング速度の向上を試みた。