[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25p-E203-13] AlInGaN系窒化物MOVPE成長メカニズム

〇大川 和宏¹、飯田 大輔¹ (1.KAUST（カウスト）)

キーワード：窒化物半導体、MOVPE、シミュレーション

GaN, AlN, AlGaN, InGaNのMOVPE成長メカニズムを実験と比較しながら、定量的なシミュレーション技術の紹介とメカニズムの議論します。