[25p-E203-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25p-E203-17] GaN(0001)基板上に形成するGa₂O₃膜の構造安定性の理論解析:
膜厚依存性の検討

〇日紫喜 文昭¹、秋山 亨¹、河村 貴宏¹、伊藤 智徳¹ (1.三重院工)

キーワード：Ga2O3、第一原理計算