[25p-E204-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [25p-E204-8] 低濃度ホウ素ドープダイヤモンド中における単一NV中心の電荷安定性

〇蔭浦 泰資^1,2、笹間 陽介¹、真栄 力¹、寺地 徳之¹、山田 圭介³、小野田 忍³、山口 尚秀¹ (1.物材機構、2.学振特別研究員、3.量研機構)

キーワード：ダイヤモンド、窒素-空孔中心、電荷安定性

ダイヤモンド中の窒素-空孔中心（NV中心）の電荷状態を理解することは、その量子応用において重要である。本研究では、NV中心が正に帯電すると考えられてきたホウ素ドープダイヤモンド中において、単一ＮＶ中心が負に帯電できること、スピン操作が可能であることを発見した。低濃度ドープ中におけるNV中心の電荷安定性は、レーザー励起による二光子過程やNV中心から最近接のドーパント種およびその距離に依存することを示した。