[25p-E301-1~8] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25p-E301-2] 4H-SiC基板上の加工ダメージとエピタキシャル成長におけるステップバンチング発生との関係

〇升本 恵子¹、先崎 純寿¹、山口 浩¹ (1.産総研)

キーワード：炭化珪素、エピタキシャル成長、加工ダメージ

SiC基板には加工ダメージがあり、エピ膜のステップバンチングの原因となる。光学検査で検出困難な加工ダメージも検出できるミラー電子式検査装置が注目されており、暗いコントラストの加工ダメージにおいて、輝度値の小さいものはステップバンチングの原因となるが、輝度値の大きいものはステップバンチングの原因とならない傾向がある。今回、加工ダメージのTEM観察を行いステップバンチングが発生しない要因について考察を行った。