[25p-E301-1~8] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25p-E301-4] 顕微ラマン分光法による多層電極付n形4H-SiC結晶の高温電子物性

〇近藤 聖也¹、須田 潤¹ (1.中京大工)

キーワード：ワイドギャップ半導体、顕微ラマン分光、電子物性

車載用パワーデバイスにおいて4H-SiCは200℃以上の高温動作させる場合があり，電極界面の熱応力変化や電子物性を知る必要がある. 本研究では，新しいスペクトル解析法を利用し，高温領域の多層電極（Ni/Au）付n形4H-SiCの電極界面におけるラマンスペクトルより，熱応力と電子物性を求めた．電極近傍と遠方のn形4H-SiC結晶の電子密度を比較すると，電極近傍の電子密度の方が小さいことがわかった.