[25p-E307-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[25p-E307-3] 新電解めっき技術による静電界下のイオン還元反応

佐藤 翔大¹、安田 美菜子¹、岩津 春生^2,3、〇橋新 剛^4,3 (1.熊本大院自然、2.熊本大院先導、3.産業ナノ、4.熊本大院先端)

キーワード：電解めっき、静電界、イオン還元

電気めっきは溶液中の陽イオンを陰極表面での還元を利用する。陰極の表面が負、溶液中の陽イオンが正であるため、還元前は電気二重層が形成されるが、両者の接触によって還元が生じる。還元の停止と開始を制御できれば、LSI銅微細配線の形成技術への応用が期待できる。本研究では静電界を硫酸銅めっき浴中の銅イオンの還元制止に用い、静電界の印加電圧と銅の析出膜厚の相関から、静電界による銅イオン還元反応制止条件を検討した。