[25p-P05-1~2] 13.3 絶縁膜技術

[25p-P05-2] Si₃N₄, SiO₂膜でのイオン移動度の活性化エネルギーのイオン半径依存性

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：耐湿性、イオン汚染、分子軌道計算

SiNx, SiOx膜での1価および2価イオン透過中の生成エネルギー⊿Hdを半経験的分子軌道法で計算した．その結果はイオン半径が大きいものほど膜中に入り難いという予想と一致しなかった．⊿Hdが網目の変形と静電相互作用に等しいと仮定すれば2価のイオンの方が1価のイオンより⊿Hdが小さいことは説明できるが, Cs+, Sr2+, Ba2+の⊿Hdが小さいことを説明できない．計算結果はこれらのイオンの電荷が+１, +2より小さいことを示しており、このことが⊿Hdが小さい原因と考えられる。