[25p-P11-1~16] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[25p-P11-1] Photocurrent measurement in n-GaN/p-GaAs junction fabricated by directly bonding GaN epi layer grown on free-standing substrate

〇(B)Shota Ishimi¹, Makoto Hirose¹, Jianbo Liang¹, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ.)

Keywords:surface activated bonding

表面活性化接合法により作製したGaAs/GaNヘテロ接合のバンド構造はタイプⅠとなる。本研究では、バイポーラトランジスタへの応用可能性を明らかにするためにp-GaAs/n-GaNヘテロ接合を作製し、異なる環境温度での逆バイアスに対する光電流特性を評価した。光電流の環境温度依存性は小さく、GaAs層からGaN層への少数キャリア輸送はトンネルによって支配されていることを示した。