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[25p-P11-3] 高温度真空中アニール処理したβ-Ga2O3(-201)単結晶の欠陥準位評価
キーワード:酸化ガリウム、固有欠陥準位、光容量過渡分光法
β-Ga2O3(-201)単結晶を高温度で真空中アニール処理し固有欠陥準位の生成挙動を光容量過渡分光(SSPC)法により電気的に評価した。1回目の真空中アニール処理では欠陥準位のエネルギー状態密度分布に大きな変化ないが、2回目の真空中アニール処理ではEc-2.6eV, Ev+4.3eVの欠陥準位に大きな濃度増加が見られた。これらはGa空孔関連、O空孔関連の欠陥準位であると推定される。