[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-4] 光電子ホログラフィーによるAl₂O₃/GaN界面GaO_x層の評価

〇桑原田 進吾¹、上沼 睦典¹、富田 広人¹、田中 晶貴¹、孫 澤旭¹、橋本 由介¹、松下 智裕¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：窒化ガリウム、界面