[26a-E102-1~6] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[26a-E102-5] 浸漬堆積法によるカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と高周波特性評価

〇小暮 秀伍¹、石丸 紗椰¹、片浦 弘道²、大野 雄高^1,3 (1.名大工、2.産総研、3.名大未来研)

キーワード：カーボンナノチューブ、薄膜トランジスタ、遮断周波数

カーボンナノチューブ (CNT) 薄膜トランジスタ (TFT) は高移動度や機械的柔軟性を備え、フレキシブルエレクトロニクスへの応用が期待されている。これまでに、我々は半導体CNT分散液に基板を浸漬することにより、高密度にCNT薄膜を成膜する手法（浸漬堆積法）を確立し、それを用いて高いオン電流とオン/オフ比をもつCNT TFTを実現したことを報告している。 今回は、Sパラメータの測定によりCNT TFTの高周波特性の評価を行った結果について報告する。