[26a-E103-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[26a-E103-7] 半導体プロセス開発における薄膜測定分析技術(１)

喜多村 茜¹、谷口 武志¹、〇亀田 賢治¹ (1.KOKUSAI ELECTRIC)

キーワード：薄膜分析

半導体デバイス構造の複雑化に伴い極薄膜プロセスやウエハ表面積は増加し、半導体製造装置の成膜プロセス開発においても膜厚/膜質分布情報を正確に取得する必要性が急激に高まっている。とりわけ表面積の大きいパターンウエハにおいてはローディング効果による膜厚低下現象が見られ、膜厚に関する正確な情報が得られにくいという課題が有る。今回はパターンウエハ上に形成された薄膜に対する種々の膜厚測定手法の検討結果について報告する。