[26a-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[26a-E104-4] Si結晶中の自己格子間原子の凝集過程に関する考察

〇神山 栄治¹、野田 祐輔¹、大櫃 万聖²、後口 拓登²、横井 達矢³、末岡 浩治¹ (1.岡山県大情報工、2.岡山県大院情報系工、3.名古屋大院工)

キーワード：シリコン、自己格子間原子、凝集

Siウェーハ中の格子間Si原子(I)の凝集現象の初期に着目し，Iが2個隣接して存在する時の様々な形態について，第一原理計算により得られた結果を報告する．