[26a-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [26a-E104-6] CZ-Si 単結晶中の N-V 複合体の安定性とそれに O が与える影響

〇佐田 晃¹、野田 祐輔²、末岡 浩治²、梶原 薫³、宝来 正隆³ (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.株式会社SUMCO)

キーワード：窒素ドープシリコン単結晶、第一原理計算、格子間酸素

半導体デバイスの微細化に伴い，基板となるCZ-Si単結晶にはさらなる無欠陥性が求められている．結晶中への窒素添加によりボイド欠陥のサイズは小さくなるが，最近になって酸素の影響で，窒素によるボイド抑制効果が低下することが明らかになっている．本研究では第一原理計算法を用い，窒素と原子空孔が関与する複合体の結合エネルギーを計算することで，各種複合体の安定性と，それにOが与える影響について考察した．