[26a-E202-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26a-E202-7] β-Ga₂O₃ / NiO / β-Ga₂O₃ 構造に基づくフォトトランジスタの試作

〇中込 真二¹、浦田 英斗¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、酸化ニッケル、フォトトランジスタ

β-Ga₂O₃ /NiO /β-Ga₂O₃ 構造をもつフォトトランジスタの作製を試み, その特性を評価した。E-C間では逆方向バイアスの増加に伴って電流が増加する特性となり, UV光強度の増加に伴って逆方向の直列抵抗が減少した。光強度の増加に対して約1.5乗の傾きを示して電流が増加した。