[26a-E202-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26a-E202-8] ファインチャネル式ミストCVD法におけるα-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜の成膜条件と組成比の関係

〇(B)須佐美 大夢¹、安岡 龍哉¹、刘 丽²、ダン タイジャン²、川原村 敏幸^1,2 (1.高知工大シス工、2.総研)

キーワード：薄膜、ミストCVD、酸化アルミニウムガリウム

我々は非真空機能性薄膜作製技術であるミストCVD法を用いてa-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜の結晶性、導電性、表面荒さ、および、組成比を制御、向上させる技術の開発を進めている。本報告では、成膜条件が組成比に及ぼす影響とその実験から見えてきた原料特性、および、作製したサンプルの特性に関して報告する。