[26a-E202-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26a-E202-9] ミストCVD法による酸化アルミニウム薄膜の作製とその絶縁特性に関する研究

〇福江 雅¹、安岡 龍哉¹、石川 祐奈¹、朝子 幹太¹、刘 丽³、伊藤 亮孝^2,3、藤村 俊伸⁴、川原村 敏幸^1,3 (1.高知工大シス工、2.高知工大環境、3.総研、4.日油株式会社)

キーワード：酸化アルミニウム、ミストCVD、薄膜

ミストCVD法によって作製されたAlOxは、既に従来手法と同等の絶縁破壊電界強度 6.0(MV/cm) および誘電率 6(-) を達成している。これはMethanol溶媒にH₂Oをすることにより酸素源を供給することで、高い絶縁性が得られている。さらに成膜中にO₃ガスを支援することで、より高い絶縁破壊電界強度 8.0(MV/cm) および誘電率 7(-)が得られている。この絶縁性向上のメカニズムを、出発材料である溶液の観点から調査を行った。