[26a-E203-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[26a-E203-9] らせん・混合転位密度が低いAlNテンプレートを用いたDUV-LEDの開発

〇上杉 謙次郎^1,2、窪谷 茂幸¹、中村 孝夫^2,4、正直 花奈子³、肖 世玉¹、久保 雅敬³、三宅 秀人^2,3 (1.三重大地創戦略企、2.三重大院地域イノベ、3.三重大院工、4.東大生研)

キーワード：AlN、アニール、深紫外発光ダイオード

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレートを用いてDUV-LEDを作製した。AlNのスパッタ成膜条件を制御することでらせん成分を有する貫通転位の密度を低減し、表面平坦性の低下を引き起こすヒロック構造の形成を抑制した。これによりDUV-LEDの発光効率向上を実現し、ピーク波長263 nmにおいて外部量子効率の最大値として8.0%を得た。