[26a-E301-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[26a-E301-4] 側面回折格子1550nm帯InAs/InGaAlAs量子ドット分布帰還型レーザの作製と温度特性評価

〇金子 瑠那¹、勝原 龍海¹、矢吹 諒太¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一¹、石川 浩¹、宇髙 勝之¹ (1.早稲田大学、2.情報通信研究機構)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ、DFBレーザ