[26a-P05-1~5] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[26a-P05-4] Geマイクロブリッジ上への歪みSiGe成長と発光特性

〇井上 貴裕¹、我妻 勇哉¹、池ヶ谷 玲雄¹、岡田 和也¹、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大学)

キーワード：半導体、マイクロブリッジ、ゲルマニウム