[26p-E201-1~12] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[26p-E201-8] GdFeフェリ磁性薄膜における温度勾配に起因する横電圧誘起と横ゼーベック係数

〇小林 祐希¹、笠谷 雄一²、塚本 新² (1.日大院理工、2.日大理工)

キーワード：GdFe、磁気熱電効果、フェリ磁性体

磁気熱電効果が注目され, 強磁性規則合金における横ゼーベック係数S_xyについて体系的な検討が進められている. 一方、フェリ磁性体を用いたS_xyの検討は未だ少ない. 本研究では重希土類金属(hRE)-遷移金属(TM)アモルファス合金のGdFeフェリ磁性薄膜における温度勾配に起因する横電圧の外部磁界依存性につき検討を行うとともに, 室温近傍での横ゼーベック係数S_xyの試料温度依存性について報告する.