[26p-E202-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26p-E202-2] スカルメルト法によるルツボフリーなβ-Ga₂O₃単結晶の新規育成手法

〇高橋 勲¹、富田 健稔¹、菅原 孝昌²、庄子 育宏¹、Kochurikhin Vladimir¹、鎌田 圭^1,2、柿本 浩一^2,3、吉川 彰^1,2 (1.㈱C＆A、2.東北大、3.九大)

キーワード：酸化ガリウム、ルツボフリー、結晶成長

本研究では、b-Ga₂O₃の結晶成長にルツボフリーな成長法の一種であるスカルメルト法を利用し、種結晶からの単結晶育成を試みた。その結果、現状のサイズで直径約2インチ弱の単結晶の作製に成功し、本手法での実用化の可能性を示すことが出来た。