[26p-E202-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26p-E202-5] ミストCVD法によるScAlMgO₄基板上Ga₂O₃成長

〇守屋 亮¹、高根 倫史²、山下 修平¹、山藤 祐人¹、城川 潤二郎¹、松倉 誠³、小島 孝広³、四戸 孝⁴、金子 健太郎²、荒木 努¹ (1.立命館大学、2.京都大学、3.(株)オキサイド、4.(株)FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、結晶成長

Ga₂O₃は5種類の結晶多型を持つ材料であり、特に、α, β, ε相ではパワーデバイスへの応用が期待されている。一方、ScAlMgO₄（SAM）はYbFe₂O₄構造に属する三方晶であり、強いc面劈開性を持つという特徴がある。SAM基板上Ga₂O₃のメリットは、基板を剥離できることによって熱伝導率が極めて小さいGa₂O₃デバイスの放熱を容易に行える点にある。そこで、本研究ではミストCVD法を用いて、温度をパラメータとしSAM基板上にGa₂O₃が成長可能であるかの検討を行った。