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[26p-E202-5] ミストCVD法によるScAlMgO4基板上Ga2O3成長
キーワード:酸化ガリウム、ミストCVD、結晶成長
Ga2O3は5種類の結晶多型を持つ材料であり、特に、α, β, ε相ではパワーデバイスへの応用が期待されている。一方、ScAlMgO4(SAM)はYbFe2O4構造に属する三方晶であり、強いc面劈開性を持つという特徴がある。SAM基板上Ga2O3のメリットは、基板を剥離できることによって熱伝導率が極めて小さいGa2O3デバイスの放熱を容易に行える点にある。そこで、本研究ではミストCVD法を用いて、温度をパラメータとしSAM基板上にGa2O3が成長可能であるかの検討を行った。