2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26p-E202-1~14] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2022年3月26日(土) 13:00 〜 16:45 E202 (E202)

佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー)、大島 祐一(物材機構)

14:00 〜 14:15

[26p-E202-5] ミストCVD法によるScAlMgO4基板上Ga2O3成長

〇守屋 亮1、高根 倫史2、山下 修平1、山藤 祐人1、城川 潤二郎1、松倉 誠3、小島 孝広3、四戸 孝4、金子 健太郎2、荒木 努1 (1.立命館大学、2.京都大学、3.(株)オキサイド、4.(株)FLOSFIA)

キーワード:酸化ガリウム、ミストCVD、結晶成長

Ga2O3は5種類の結晶多型を持つ材料であり、特に、α, β, ε相ではパワーデバイスへの応用が期待されている。一方、ScAlMgO4(SAM)はYbFe2O4構造に属する三方晶であり、強いc面劈開性を持つという特徴がある。SAM基板上Ga2O3のメリットは、基板を剥離できることによって熱伝導率が極めて小さいGa2O3デバイスの放熱を容易に行える点にある。そこで、本研究ではミストCVD法を用いて、温度をパラメータとしSAM基板上にGa2O3が成長可能であるかの検討を行った。