2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[26p-E301-1~12] 3.13 半導体光デバイス

2022年3月26日(土) 13:30 〜 17:00 E301 (E301)

荒川 太郎(横国大)、宮本 智之(東工大)

16:30 〜 16:45

[26p-E301-11] レーザ受光用InGaAsP光電変換素子における窓層の効果の評価

〇本村 優芽1、櫛山 爽1、西岡 賢祐1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)

キーワード:InGaAsP、光無線給電、光電変換

我々は、1.06ミクロン帯レーザ受光用のInGaAsP光電変換素子を有機金属気相成長法(MOVPE)を用いて作製した。1.06ミクロン帯のレーザを照射したとき、窓層の導入により短絡電流は増加したが、一方で、フィルファクタは減少した。