[26p-E301-1~12] 3.13 半導体光デバイス

△ [26p-E301-6] MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の層数の違いによる中赤外発光形状に関する実験と計算の比較

〇(M1)岩切 優人¹、荒井 昌和¹、藤澤 剛²、前田 幸治¹ (1.宮崎大学、2.北海道大学)

キーワード：超格子、中赤外発光、フォトルミネッセンス

MOVPE法で作製されたInAs/GaSb超格子の5層と15層の層数を実験値と計算値で比較した。励起キャリア濃度を10²³m⁻³と仮定した。計算値より4.6µmに最低のエネルギー差の発光であるピークと4.0µmにピークが得られた。5層では4.6µmが最大強度であるが15層ではより高エネルギーの4.0µmのピークが強くなった。観測されたPLスペクトルでも励起強度を選ぶと計算値と同様のピーク形状が見られた。