[26p-E301-1~12] 3.13 半導体光デバイス

[26p-E301-7] GaAs基板上メタモルフィックInAsSbへの熱アニールによる結晶性への影響評価

〇中川 翔太¹、本部 好記¹、岩切 優人¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：中赤外、有機金属気相成長法、InAsSb

今回、GaAs基板上InAsSbを成長後アニールすることによって結晶性の改善を目指した。試料はMOVPE（有機金属気相成長）法を用いて、アニール無しのものとアニールを550℃、650℃で行ったものそれぞれ作成した。フォトルミネッセンス（PL）法による発光強度の測定、原子間力顕微鏡（AFM）による表面平坦性の評価を行った結果、アニール無しでは確認できなかった発光がアニール後は確認できた。また表面平坦性についてはアニールにより悪化した。