16:15 〜 16:30 [15p-D419-7] 高濃度B添加CZ-Si単結晶育成における結晶方位の違いによる組成的過冷却現象の検討 〇(M1)細田 勝太1、福井 勇希1、太子 敏則1、渡辺 雄太2、刈谷 宣政2 (1.信大工、2.エム・セテック)