[17p-PB06-1~3] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2023年3月17日(金) 16:00 〜 18:00 PB06 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

▲ [17p-PB06-1] Passivation on ZnO NWs to enhance the efficiency of PbS/ZnO NW QDSCs

〇(D)YUYAO WEI¹、Chao Ding¹、Mako Nakamura¹、Shuzi Hayase¹、Qing Shen¹ (1.Faculty of Informatics and Engineering, The University of Electro- Communications)

16:00 〜 18:00

[17p-PB06-2] p+型ポーラスシリコンにおける鉄の電着

〇(M2)佐藤俊輔¹、金蓮花¹、ジェローズベルナール² (1.山梨大、2.名古屋大)

16:00 〜 18:00

▲ [17p-PB06-3] Abnormal Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/InAsSb Quantum-Dot Layer

〇(D)SIMJUI OON¹、Naoya Miyashita¹、Koichi Yamaguchi¹ (1.UEC Tokyo)

セッション情報

[17p-PB06-1~3] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

▲ [17p-PB06-1] Passivation on ZnO NWs to enhance the efficiency of PbS/ZnO NW QDSCs

[17p-PB06-2] p+型ポーラスシリコンにおける鉄の電着

▲ [17p-PB06-3] Abnormal Temperature Dependence of Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs/InAsSb Quantum-Dot Layer

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