[15a-A408-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [15a-A408-7] Ir/MgO基板上ヘテロエピタキシャルダイヤモンド初期成長様式のその場観察

〇伊原 隆宏¹、木村 豊²、高須 智也³、大島 龍司^1,3、澤邉 厚仁²、會田 英雄¹ (1.長岡技科大、2.青学大、3.ディスコ)

キーワード：ダイヤモンド、ヘテロエピタキシャル、その場観察

ダイヤモンド半導体材料の実用化には, 将来的に高品質化と大口径化が必要であり, そのためには転位の低減と反り抑制が重要となる. 本研究では, 成長メカニズム解明を目的とし, マイクロ波プラズマＣＶＤ装置による下地Ir/MgO基板上へのヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長を行った.その際, 温度, 反射率および反りをin-situ測定し, 初期成長様式をFE-SEMで観察した. ダイヤモンドの初期成長様式と反りの関係が明らかになったので報告する.