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[15a-B401-6] {11-22}面GaN基板上InGaN系マイクロレンズ構造における異方的な発光波長分布
キーワード：窒化物半導体、多波長発光、マイクロ構造
InGaN系三次元マイクロ構造は，蛍光体フリーな多波長発光素子として有望である．我々は，選択成長法によって(-1-12-2)面GaN基板上に形成される極性面フリーなマルチファセット構造を報告している．(0001)極性面の無い本構造は，ピエゾ電界の低減によって輻射再結合確率の高い多波長発光特性を示す．一方で，ごく最近我々は，新たな多波長発光構造として，連続的に傾斜角が変化するマイクロレンズ構造に着目している．(0001)面上のマイクロレンズ構造は，傾斜角分布による多波長発光特性を示す．本研究では，{11-22}面GaN基板にマイクロレンズ構造を作製し，その上に再成長したInGaN QWの発光特性について調べたので報告する．