2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2023年3月15日(水) 09:00 〜 11:30 B410 (2号館)

岡田 竜弥(琉球大)、呉 研(日大)

09:15 〜 09:30

[15a-B410-2] ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFETのシート抵抗のばらつき評価

中道 修平1、本郷 仁啓1、三浦 典子1、居村 史人2,3、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2,3 (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.(株)Hundred Semiconductors)

キーワード:ミニマルファブ、SODコート、スピンコーター

ミニマルファブではMOSFETデバイスの不純物拡散にSOD材料によるスピンコートを実施している。
前回発表では、改善したnMOSFETプロセスでドーピングの面内均一性が悪化した結果になった。
前回の結果を検証し、ウェハの径方向の面内均一性にばらつきは無く均一であった。
今回は同様にpMOSFETのドーピングの面相均一性を評価し、その結果を報告する。