[15a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-B410-3] ミニマルファブ SOI CMOSにおけるオーバーラップ長縮小の検討

〇浜本 毅司¹、北山 侑司³、丸山 智史³、クンプアン ソマワン^1,2、柴 育成³、原 史朗^1,2,4 (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.横河ソリューション、4.(株)Hundred Semiconductors)

キーワード：SOI、MOSFET

ミニマルファブは多品種少量生産をターゲットとした生産システムである。このミニマルファブでのデバイス適応実績としては、カンチレバーに代表されるMEMSデバイス、CMOSおよびそれを用いたRing Oscillatorとオペアンプなどが試作されてきた。1,000Gateレベルの集積回路の動作検証は既に終了し、試作ファブとして実用化されている。今後は、PDK(Process Design Kit)を作成し、広範なユーザー設計に基づいた回路動作に対応すべく、MOSFETの動作精度向上、プロセスロバスト性確保に注力する段階となっている。今回、MOSFETのサイズ縮小の一環として、オーバーラップ長縮小の検討を行った結果を報告する。