[15a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-B410-7] モールド樹脂上セミアディティブ再配線形成プロセス

〇居村 史人^1,2、大園 満¹、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,2,3 (1.産総研、2.Hundred、3.ミニマルファブ)

キーワード：ミニマルファブ、再配線

ミニマルファブでは、FOWLPやチップレットなどの先端パッケージング技術に先行してBGAパッケージ上のRDL形成プロセスを開発してきた。しかし、サブトラクティブ法を用いてRDLを形成していたため、ウェットエッチング時に生じるアンダーカットやサイドエッチングなどの影響で線幅が設計値よりも細くなる課題があった。そこで、今回はセミアディティブ法を用いて、RDL形成を形成したので、その結果を報告する。