[15a-D419-1~9] 15.1 バルク結晶成長

[15a-D419-5] ScAlMgO₄ 単結晶エピレディウェハの評価

〇白石 裕児¹、南都 十輝¹、安藤 宏孝¹、福田 承生¹、星生 伸一²、藤井 高志^1,3、荒木 努³、石地 耕太朗⁴ (1.㈱福田結晶研、2.オータスジャパン、3.立命館大、4.九州シンクロ)

キーワード：ScAlMgO4、SAM、単結晶

ScAlMgO₄(SAM)単結晶は高歩留りなGaN自立基板が作製可能で、且つ薄膜成長後の自然剥離したSAM基板を再研磨する事で複数回再利用可能な結晶として報告されてきた。SAM単結晶作成においての結晶欠陥については、光学評価、X線トポグラフィ（XRT）により調べて報告してきた。今回作成したGaN基板用のエピレディウェハの品質についてXRCによる半値幅のマッピングとXRT観察による対比にて検討した。