[15a-E402-1~11] 12.4 有機EL・トランジスタ

[15a-E402-6] 緑色発光カドミウムフリーInP/ZnSe/ZnS量子ドット薄膜の光学特性へのZnSe中間シェル層の影響とハイブリット発光デバイスへの応用

黄 毛蔚¹、〇梶井 博武¹、山田 真聖¹、岡本 彬仁¹、馬醫 春希¹、戸田 晋太郎^1,2、川合 健太郎^1,2、近藤 正彦¹ (1.阪大院工、2.アルバック協働研)

キーワード：有機EL、量子ドット

高分子ELで検討されている素子構造の発光層部分を無機半導体量子ドット（QD）におきかえることで、プリンテッド量子ドット発光ダイオード（QD-OLED）の作製が可能となり、有機EL技術と親和性が高い。本研究では種々のパラメータを変化させながらInP系QDを合成し、発光波長の制御を行った。本研究では、特に2重シェル構造のInP/ZnSe/ZnS QDのZnSe中間シェル層の光学特性に与える影響とQD-OLEDのデバイス特性の評価を行った成果を報告する。