[15a-PA01-1~56] 17 ナノカーボン（ポスター）

[15a-PA01-11] SiC上エピタキシャルグラフェン成長機構の第一原理計算による研究 ―ステップとC原子吸着の関係―

〇(M1)福田 槙哉¹、影島 博之¹ (1.島根大院自然科学)

キーワード：グラフェン、SiC、第一原理計算

本研究では大面積高品質グラフェン結晶の形成法であるSiC熱分解法に注目し、エピタキシャルグラフェンの成長機構について理論的に探究することを目的とする。熱分解法では、シリコン（Si）が表面から蒸発し表面に残ったCがグラフェンを形成する。そこで、Cが表面でどのように凝集するのかがグラフェンの結晶性を左右する。これまでの研究によりグラフェンの成長にはステップが深く関っているので、本研究では特に、成長初期過程を明らかにするためにステップとC原子の吸着の関係について第一原理計算を用いて検討した。