[15a-PA01-1~56] 17 ナノカーボン（ポスター）

[15a-PA01-29] SiO₂基板疎水化によるロバストなグラフェン電界効果トランジスタバイオセンサ

〇中野 友美¹、牛場 翔太¹、宮川 成人¹、品川 歩¹、小野 尭生^2,3、金井 康^2,4、谷 晋輔¹、木村 雅彦¹、松本 和彦² (1.村田製作所、2.阪大産研、3.JSTさきがけ、4.阪大OTRI)

キーワード：グラフェン、FET、接着仕事

本研究では、疎水性及び親水性のSiO2基板上に作製したグラフェン電界効果トランジスタ (G-FET) のロバスト性を調査した。APTESを用いて疎水化処理した基板で作製したG-FETは、溶液浸漬後、数日経過してもグラフェンは基板から剥離せずに安定であった。比較として、O2プラズマを用いて親水化処理した基板で作製したG-FETは、溶液浸漬後、数分以内にグラフェンが基板から剥離した。