[15a-PA01-1~56] 17 ナノカーボン（ポスター）

[15a-PA01-36] ALD成長WS₂薄膜のサイクル数に応じた組成変化

〇福島 崇史¹、リム ホン エン¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、原子層堆積法、二硫化タングステン

6族TMDCの一種であるWS₂はその特異な電気的特性から注目を集めている。前回の発表では、ALD成長したWS₂薄膜で作製したFETがp型の挙動を示すことを報告した。そこで本発表では、ALD成膜の理解を深めるため、サイクル数を変えた際の膜質を比較した。また、成長パラメータ改善や硫黄アニールを行うことで、膜質向上を試みた。