[15a-PA01-1~56] 17 ナノカーボン（ポスター）

[15a-PA01-55] 1T-VSe₂の表面酸化膜を用いた抵抗変化メモリの作製

〇(B)中村 優太¹、稲田 貢¹、谷 弘詞¹、上野 啓司²、山本 真人¹ (1.関西大システム理工、2.埼玉大院理工)

キーワード：抵抗変化メモリ、二セレン化バナジウム、ファンデルワールス積層構造