[15p-A205-1~12] 低次元材料のデバイス応用の最新動向

[15p-A205-3] 高信頼性、小セル面積、高スイッチング速度を目指した16 Mb NRAMの開発

〇齋藤 仁¹、渡邉 純一¹、田村 哲朗¹、佐次田 直也¹、原 浩太¹、川畑 邦範¹、藤井 淳¹、大野 潤¹、中久保 敦¹、児島 学¹、ルアン ハリー²、セン ラフール² (1.富士通セミコンダクターメモリソリューション、2.ナンテロ)

キーワード：NRAM、CNT

55 nmCMOSの配線中にCNT抵抗素子を組み込んだ16 Mb 1T1R NRAMを開発し、150 ℃リテンション試験で外挿での100 khとエンデュランス試験で1E6サイクルの優れた信頼性を示した。セルアレイのスイッチング速度は200 nsである。さらに、CNT抵抗単体素子で、ヴィアピッチセルにより面積を49 %縮小し、ヴェリファイ動作無しで0.5 nsの単一パルス高速スイッチングを確認した。