[15p-A205-1~12] 低次元材料のデバイス応用の最新動向

[15p-A205-6] 大面積グラフェンデバイスの作製

〇川田 和則¹、中村 孝子¹、川木 俊輔¹、古賀 義紀¹、長谷川 雅考¹ (1.エアメンブレン)

キーワード：グラフェン、FET

グラフェンの高移動度を利用したデバイスの開発が活発化してきている。工業的利用のためには大面積基板のデバイスが必要である。本研究ではフォトリソグラフィーによるグラフェンパターンの形成と金蒸着による電極形成を行いグラフェンFETを作製した。作製したFETデバイスについてIV測定により動作を確認した。CVD合成単層グラフェンの4inch大面積デバイスの作製に成功した。