[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-A404-19] スパッタ法で作製したAlN薄膜の強誘電体特性評価

〇長谷川 浩太^1,2、清水 荘雄²、大澤 健男²、坂口 勲^1,2、大橋 直樹^1,2,3 (1.九大院総理工、2.物材機構、3.東工大)

キーワード：強誘電体、窒化アルミニウム、スパッタリング

反応性スパッタ法によりNbを0.5wt%添加したNb:SrTiO3(111)単結晶基板上にウルツ鉱型AlN薄膜を合成した。得られたAlN薄膜はc軸単一配向しており、測定温度300ºCで強誘電体特性評価を行ったところ、明瞭なヒステリシスループが観測され、強誘電性を示すことがわかった。当日は、下地電極を変えた試料や測定温度依存性の結果についても報告する予定である。