[15p-A404-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [15p-A404-7] レーザー励起光電子顕微鏡を用いたHfO₂系強誘電体キャパシタの
絶縁破壊に関する評価

〇糸矢 祐喜¹、藤原 弘和²、Bareille Cédric^3,4、辛 埴^4,5、谷内 敏之^3,4、小林 正治^1,6 (1.東大生産研、2.東大物性研、3.東大新領域、4.東大MIRC、5.東大特別教授室、6.東大 d. lab)

キーワード：強誘電体、酸化物デバイス、光電子顕微鏡

HfO₂系強誘電体(FE-HfO₂)キャパシタはペロブスカイト型強誘電体キャパシタよりも絶縁破壊しやすい。本研究では、レーザー励起光電子顕微鏡で経時絶縁破壊をオペランド観察し、寿命が短いキャパシタは電極のエッジで壊れることを観測した。この結果から、少なくとも低寿命なキャパシタではデバイス構造が破壊時間を決定する要因の一つとなることがわかる。本成果はFE-HfO₂キャパシタの破壊のメカニズム解明につながるものである。